Substrato de nitreto de silício

O Substrato de Nitreto de Silício da UNIPRETEC é feito de cerâmica Si3N4. A fim de reduzir a poluição ambiental e criar uma economia verde, o uso eficiente da eletricidade tornou-se cada vez mais importante, o que também impõe requisitos mais elevados para substratos de dissipação de calor em dispositivos eletrônicos. As desvantagens dos substratos cerâmicos tradicionais, como AlN, Al2O3 e BeO, cada vez mais proeminentes, como menor condutividade térmica teórica e propriedades mecânicas pobres, têm prejudicado seriamente o seu desenvolvimento. Em comparação com os materiais de substrato de cerâmica tradicionais, a cerâmica de nitreto de silício se tornou gradualmente a nova escolha de material de dissipação de calor avançada para dispositivos eletrônicos devido à sua excelente condutividade térmica teórica e boas propriedades mecânicas.

No entanto, a condutividade térmica real da placa de Si3N4 é muito menor do que a condutividade térmica teórica, e alguns substratos de cerâmica de nitreto de silício de alta condutividade térmica (GG gt; 150 W / m · K) ainda estão em estágio de laboratório. Os fatores que afetam a condutividade térmica das cerâmicas de nitreto de silício incluem o oxigênio da rede, a fase do cristal e os limites dos grãos. Além disso, a transformação do tipo de cristal e a orientação do eixo do cristal também podem afetar a condutividade térmica do nitreto de silício até certo ponto. Como conseguir a produção em massa do substrato de cerâmica Si3N4 também é um grande problema.

Folha de dados técnicos

∆ Os dados acima são oferecidos apenas para referência e comparação; os dados exatos variam de acordo com o método de fabricação e a configuração da peça.

Para resolver esses problemas, a UNIPRETEC tem se comprometido com a otimização contínua dos processos de preparação relacionados, e a condutividade térmica real da placa de nitreto de silício também está melhorando continuamente. A fim de reduzir o teor de oxigênio da rede, em primeiro lugar reduza o teor de oxigênio na seleção de matérias-primas. Por um lado, pó de Si com conteúdo de oxigênio relativamente pequeno pode ser usado como material de partida. Em terceiro lugar, a escolha de auxiliares de sinterização adequados também pode aumentar a condutividade térmica, reduzindo o teor de oxigênio. Além disso, ao adicionar cristais de semente e aumentar a temperatura de sinterização para promover a transformação da forma do cristal e ao aplicar um campo magnético para fazer os grãos crescerem na direção, a condutividade térmica pode ser melhorada até certo ponto. Para atender aos requisitos de tamanho de dispositivos eletrônicos, a UNIPRETEC usa um processo de fundição de fita para preparar folha de nitreto de silício, wafer, substrato.

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