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Folha de nitreto de alumínio
Condutividade térmica: 170-180 W / mK
Densidade: 3,30 g / cm3
Cor: Cinza&Cinza Escuro
Máx. Temperatura de trabalho: 1.500 graus C
Aplicação: Resistor de chip, Módulos de energia, pacotes de LED, isolador geral

A cerâmica de nitreto de alumínio é um material com ligações iônicas ou covalentes extremamente fortes e possui excelentes propriedades abrangentes. A folha de nitreto de alumínio é um substrato comumente usado em embalagens eletrônicas. Eles têm propriedades de alto isolamento e excelentes características de alta frequência. Ao mesmo tempo, o coeficiente de expansão linear é muito semelhante aos componentes eletrônicos, as propriedades químicas são muito estáveis e a condutividade térmica é alta. De 1985 a 1988, surgiu a aplicação de nitreto de alumínio em materiais de encapsulamento microeletrônico. No passado, as cerâmicas de alumina e óxido de berílio foram usadas como materiais de substrato para a maioria dos circuitos integrados híbridos de alta potência por um longo tempo, mas a condutividade térmica básica da alumina é baixa e o coeficiente de expansão térmica não corresponde ao do silício. Embora o óxido de berílio tenha excelente desempenho geral, seu alto custo de produção e deficiências de alta toxicidade limitam sua aplicação e promoção. Portanto, considerando fatores como desempenho, custo e proteção ambiental, os dois não podem mais atender plenamente às necessidades de desenvolvimento de dispositivos eletrônicos modernos de potência, neste caso, as placas cerâmicas de nitreto de alumínio têm se tornado cada vez mais populares.
Recursos populares
√ entrega rápida | √ baixa expansão térmica | √ alta condutividade térmica | √ alta temperatura de trabalho |
√ boa capacidade de metalização | √ excelente isolamento elétrico | √ CTE próximo ao do silício (Si) | √ resistente à corrosão e erosão |
Relatório SGS (Folha AlN)
Item de Teste | Método de teste | Condição de teste | Resultado do teste |
Densidade aparente | Consulte ISO 10545-3: 2018 | 50 mm × 50 mm × 0,5 mm, 4 unidades | Média: 3,34 g / cm3 |
Coeficiente de Expansão Linear | Consulte ASTM D4535-13ɛ1 | 50 mm × 10 mm × 0,5 mm, 3 unidades Temperatura: variação da temperatura ambiente. a 100 ° C. | Média: 3,4 × 10-6/°C |
Condutividade térmica | ISO 22007-2 (2015) | 100 mm × 100 mm × 0,5 mm, 2 unidades Condicionamento de teste: (25 ± 2) ° C, (50 ± 10)% UR Tipo de sensor: C4922 (raio 14,61 mm) Potência de aquecimento: 2,5 W Tempo de medição: 2 seg. Temperatura de teste: (23 ± 2) ° C | 185.6 W/m‧K |
Força Flexural | Consulte GB / T 9341-2008 e requerimento do cliente | 50 mm × 4,02 mm × 0,5 mm Velocidade de teste: 0,5 mm / min Span: 30mm | 471 MPa |
Tensão de ruptura dielétrica | GB / T 1408.1-2016 Teste de curta duração (aumento rápido) | 100 mm × 100 mm × 1,0 mm, 5 unidades Pré-condição: 23 ± 2 ° C, 50 ± 5% UR, 48h Temperatura de teste: 23 ± 2 ° C Diâmetro do eletrodo inferior: 75 mm Diâmetro do eletrodo superior: 25 mm Frequência de aplicação de tensão: 50Hz Taxa de aumento: 1000V / s | 18,26 KV |
Rigidez dielétrica | GB / T 1408.1-2016 Teste de curta duração (aumento rápido) | 100 mm × 100 mm × 1,0 mm, 5 unidades Pré-condição: 23 ± 2 ° C, 50 ± 5% UR, 48h Temperatura de teste: 23 ± 2 ° C Diâmetro do eletrodo inferior: 75 mm Diâmetro do eletrodo superior: 25 mm Frequência de aplicação de tensão: 50Hz Taxa de aumento: 1000V / s | 17,73 KV / mm |
Resistividade volumétrica | GB / T 1410-2006 | 100 mm × 100 mm × 0,5 mm; 5pcs Pré-condição: 23 ± 2 ° C, 50 ± 5% UR, 48h Condição de teste: 23 ± 2 ° C, 50 ± 5% UR Diâmetro do eletrodo de teste: 50 mm Largura da lacuna: 10,0 mm Tensão de teste: 500 Vdc Tempo de eletrificação: 1 min | 2.75×1014 Ω · cm |
Nota: a condutividade térmica foi realizada pela SGS Taiwan Ltd.; resistência à flexão, tensão de ruptura dielétrica, rigidez dielétrica, resistividade de volume foram realizadas por SGS-CSTC Standards Technical Services Co., Ltd. Guangzhou Branch.
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